فیلترها/جستجو در نتایج    

فیلترها

سال

بانک‌ها




گروه تخصصی











متن کامل


اطلاعات دوره: 
  • سال: 

    1395
  • دوره: 

    31
تعامل: 
  • بازدید: 

    352
  • دانلود: 

    418
چکیده: 

لطفا برای مشاهده چکیده به متن کامل (PDF) مراجعه فرمایید.

شاخص‌های تعامل:   مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید 352

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesدانلود 418
نویسندگان: 

مرادی افشین

اطلاعات دوره: 
  • سال: 

    1398
  • دوره: 

    49
  • شماره: 

    1 (پیاپی 87)
  • صفحات: 

    399-403
تعامل: 
  • استنادات: 

    0
  • بازدید: 

    3040
  • دانلود: 

    283
چکیده: 

در این مقاله، با استفاده از روش مدار الکتریکی معادل، مطالعه تحلیلی برای چگالی های انرژی الکتریکی و اتلافی در گرافین ارائه شده است. در قدم اول، تحریکات الکترونی برروی سطح گرافین به صورت یک لایه بی نهایت نازک از شاره الکترون توصیف شده است و الکترون های به طور کامل نادیده گرفته شده اند. سپس عبارت های کلی برای چگالی های انرژی الکتریکی و اتلافی, با استفاده از یک معادله حرکت ساده برای یک الکترون از شاره الکترونی (که در معرض یک میدان الکتریکی وابسته به زمان خارجی قرار گرفته است) در ارتباط با روش مدار الکتریکی معادل، به دست آمده اند. در قدم بعد، در محدوده فرکانس های بالا، با استفاده از فرمول رسانندگی سیستم که اخیراً ارائه شده است، مسئله در مدل دو شاره ای بررسی شده است.

شاخص‌های تعامل:   مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید 3040

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesدانلود 283 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesاستناد 0 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesمرجع 0
اطلاعات دوره: 
  • سال: 

    1382
  • دوره: 

    29
  • شماره: 

    1 (پیاپی 31) ویژه الکترونیک
  • صفحات: 

    49-58
تعامل: 
  • استنادات: 

    0
  • بازدید: 

    2740
  • دانلود: 

    2304
چکیده: 

ناپیوستگیها برای ایجاد توابع امپدانسی و انتقالی مشخص در ابزارهای میکروویوی به کار برده می شوند. انواع فیلترها، تغییر دهنده های فاز، میکسرها و نوسان سازهای فرکانس بالا هر کدام از نوعی از ناپیوستگیها بهره می گیرند. در این مقاله روش کمترین مربعات مانده مرز به عنوان یک روش موثر در تحلیل ساختارهایی که دارای غشای طولی نازک، ضخیم، و ناپیوستگی در صفحه E موجبر هستند، ارایه می گردد. شرایط مرزی برای میدانهای الکتریکی و مغناطیسی مماسی به همراه یک ضریب هم وزنی برای ساخت تابع خطا به کار می رود. نتیجه کاربردی تحلیل مساله، تعیین یک مدار معادل برای توصیف ناپیوستگی می باشد که می توان از آن در طراحی فیلترهای میانگذر استفاده کرد. نتایج عددی به دست آمده از این روش با نتایج حاصله از روشهای دیگری که گزارش شده اند، مقایسه می گردد.

شاخص‌های تعامل:   مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید 2740

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesدانلود 2304 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesاستناد 0 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesمرجع 0
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources
اطلاعات دوره: 
  • سال: 

    1381
  • دوره: 

    12
  • شماره: 

    4
  • صفحات: 

    107-119
تعامل: 
  • استنادات: 

    0
  • بازدید: 

    1669
  • دانلود: 

    0
چکیده: 

در این مقاله روشی برای مدلسازی موتور القایی قفس سنجابی مبتنی بر مدار معادل مغناطیسی تغییر یافته به منظور محاسبه رفتار حالت گذرا و دایمی موتور ارایه شده است. اثرات تمام هارمونیکهای فضایی، رلوکتانس دندانه های استاتور و رتور و اثر منحنی اشباع مغناطیسی، مورب بودن شیارها، آرایش سیم بندهای استاتور، پرمآنس پراکندگی شیارها، و پرمآنس فاصله هوایی در نظر گرفته می شوند. همچنین بدلیل آنکه هیچ محدودیتی در ارتباط با تقارن سیم بندیهای استاتور، میله های رتور، و طول فاصله هوایی وجود ندارد از این روش میتوان در مطالعه اثرات عدم تقارنها، و شرایط خطا بر روی عملکرد ماشین استفاده نمود. در مدل پیشنهادی با در نظر گرفتن ابعاد واقعی هندسی ورق هسته استاتور و رتور، ساده سازیهایی انجام شده است که منجر به کاهش قابل ملاحظه تعداد متغیرهای دستگاه معادلات جبری ماشین و در نتیجه کاهش قابل ملاحظه زمان شبیه سازی می شود. دستگاه معادلات جبری در روش مدار مغناطیسی عموما بد وضع است و با در نظر گرفتن تقریبهای پیشنهادی در این مقاله، عدد وضعیت دستگاه معادلات نیز بهبود می یابد و امکان همگرایی سریعتر و حصول جوابهای عددی دقیقتر امکان پذیر می شود.

شاخص‌های تعامل:   مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید 1669

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesدانلود 0 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesاستناد 0 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesمرجع 0
نشریه: 

اطلاعات دوره: 
  • سال: 

    1400
  • دوره: 

  • شماره: 

  • صفحات: 

    126-135
تعامل: 
  • استنادات: 

    0
  • بازدید: 

    152
  • دانلود: 

    88
چکیده: 

سامانه های فضایی که در مدار نزدیک زمین (LEO) قرار می گیرند، در معرض عامل مخرب اکسیژن اتمی هستند. در مأموریت های طولانی مدت، نرخ تخریب مواد حاصل از واکنش با اکسیژن اتمی قابل توجه بوده و موجب افت عملکرد سازه می شود. با توجه به اثرات زیان بار اکسیژن اتمی بر روی مواد، انتخاب مواد مقاوم به اکسیژن اتمی و یا استفاده از پوشش های مقاوم سطحی بسیار متداول است. در این پژوهش مقاومت به خوردگی اکسیژن اتمی قطعه اینترکانکتور از یک سلول خورشیدی با اعمال پوشش پایه سیلیکونی مورد مطالعه قرار می گیرد. به منظور بررسی رفتار خوردگی اکسیژن اتمی از روش تست زمینی با شرایط معادل مدار LEO توسط تجهیز پلاسمای DC استفاده شده و در ابتدا پارامترهای تست زمینی خوردگی اکسیژن اتمی در شرایط معادل مدار LEO تعیین می شود. نتایج اعمال اکسیژن اتمی در این مطالعه نشان می دهد که مقدار حد فرسایش اکسیژن اتمی پوشش سیلیکونی در مقایسه با مقدار حد فرسایش اکسیژن اتمی زیرلایه نقره به میزان قابل توجهی کمتر است. همچنین بررسی سطح پوشش پس از اعمال اکسیژن اتمی توسط تصاویر SEM منجر به تعیین ضخامت بهینه پوشش می گردد. نتایج EDX نشان می دهد که پس از اعمال اکسیژن اتمی، تغییر قابل توجهی در ترکیب شیمیایی پوشش حاصل نشده است.

شاخص‌های تعامل:   مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید 152

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesدانلود 88 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesاستناد 0 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesمرجع 0
اطلاعات دوره: 
  • سال: 

    1398
  • دوره: 

    17
  • شماره: 

    4
  • صفحات: 

    229-239
تعامل: 
  • استنادات: 

    0
  • بازدید: 

    836
  • دانلود: 

    238
چکیده: 

بیشترین خرابی های ترانسفورماتورهای قدرت ناشی از مشکلات حرارتی می باشد که این مشکلات در شرایط کاری غیر نامی مثل تغذیه بارهای هارمونیکی بیشتر بروز پیدا می کند. تحلیل گرمایی ترانسفورماتور و گرمای اضافی تحمیل شده به ترانسفورماتور به علت وجود هارمونیک ها موضوع مورد بررسی این مقاله است. در این مقاله یک مدار معادل حرارتی جدید ارائه می شود به نحوی که دمای اجزای مختلف ترانسفورماتورهای قدرت روغنی را به صورت تفکیک شده در شرایط تغذیه بارهای هارمونیکی مشخص می کند. تلفات اجزای مختلف ترانسفورماتور به عنوان منبع تولید حرارت بایستی محاسبه شوند و به این منظور در این مقاله یک روش مدل سازی المان محدود 3بعدی مناسب پیشنهاد شده است که قادر به محاسبه تلفات اجزای مختلف ترانسفورماتور قدرت با ساختار هندسی پیچیده است. مقایسه نتایج به دست آمده از مدار معادل حرارتی پیشنهادشده با دماهای نقاط داغ سیم پیچی و میانگین روغن به دست آمده از 57. 91IEEE Std C نشان می دهد مدار معادل حرارتی پیشنهادی از دقت کافی برای تخمین توزیع دمای ترانسفورماتور تغذیه کننده بارهای هارمونیکی برخوردار است. به منظور جلوگیری از افزایش دمای ترانسفورماتور با تغذیه بارهای هارمونیکی، کاهش بارگیری ترانسفورماتور مورد بررسی قرار می گیرد.

شاخص‌های تعامل:   مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید 836

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesدانلود 238 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesاستناد 0 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesمرجع 0
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources
نویسندگان: 

توسلی محمدمهدی

نشریه: 

مطالعات جهان

اطلاعات دوره: 
  • سال: 

    1390
  • دوره: 

    1
  • شماره: 

    2
  • صفحات: 

    215-230
تعامل: 
  • استنادات: 

    0
  • بازدید: 

    731
  • دانلود: 

    3465
کلیدواژه: 
چکیده: 

در سال 1975 میلادی اتشارات دانشگاه آکسفورد در انگلیس، کتابی تحت عنوان تاریخ فرهنگی هند به کوشش آر. ا. بشام را در 585 صفحه منتشر کرد که به سرعت نایاب شد. در 1983 چاپ هندی آن در شهرهای کلکته، چنای و بمبئی توسط شعبه هندی همان انتشارات به بازار آمد و سپس بار دیگر در سال های 1997، 1998 و جولای 1999 اتشار یافت. در نوامبر 2007 ویراستار آن اقدام به چاپ جدیدی از اثر، با تجدید نظر کلی و کم و زیاد کردن بعضی مطالب و فصول و این بار با عنوانی نو: تاریخ فرهنگی مشروح هند، در 304 صفحه نمود. چاپ هندی این اثر در سال 2009 توسط انتشارات دانشگاه آکسفورد در دهلی، روانه بازار شد.

شاخص‌های تعامل:   مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید 731

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesدانلود 3465 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesاستناد 0 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesمرجع 0
همکاران: 

اطلاعات : 
  • تاریخ پایان: 

    1395
تعامل: 
  • بازدید: 

    127
کلیدواژه: 
چکیده: 

شاخص‌های تعامل:   مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید 127

اطلاعات دوره: 
  • سال: 

    1400
  • دوره: 

    9
  • شماره: 

    1 (پیاپی 22)
  • صفحات: 

    79-88
تعامل: 
  • استنادات: 

    0
  • بازدید: 

    197
  • دانلود: 

    71
چکیده: 

به منظور تسهیل در طراحی و تحلیل یک چرخ دنده، نیاز به محاسبه دقیق توزیع شار مغناطیسی در قسمت های مختلف چرخ دنده است. اگرچه استفاده از روش تحلیل المان محدود نسبتا دقیقتر است اما برای مطالعات پارامتری در مراحل اولیه فرآیند طراحی یک محصول، بسیار زمان بر است. لذا در این مواقع اغلب از روش MEC استفاده می شود. یکی از ساختارهای نسبتا جدید چرخ دنده ها، نوع قطب منتجه می باشد که در حجم آهنربا صرفه جویی می شود. در این مقاله مدل سازی دو بعدی یک چرخ دنده قطب منتجه با استفاده از روش MEC ارایه شده است که توزیع میدان های مغناطیسی، شارها، گشتاور روتور درونی و بیرونی را در بخش های مختلف چرخ دنده تعیین شده است. برای ارزیابی عملکرد مدل ارایه شده، برای دو نمونه چرخ دنده با مقادیر متفاوت ضریب قطب و ضریب حلقه مدولاسیون چرخ دنده تحلیل شده و چگالی شار، گشتاور و غیره در بخش های مختلف چرخ دنده تعیین شده است. همچنین برای تایید نتایج به دست آمده از مدل، تحلیل المان محدود توسط نرم افزار Ansoft/Maxwell انجام گرفته است و نتایج با یکدیگر مقایسه شده اند.

شاخص‌های تعامل:   مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید 197

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesدانلود 71 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesاستناد 0 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesمرجع 0
اطلاعات دوره: 
  • سال: 

    1403
  • دوره: 

    22
  • شماره: 

    2
  • صفحات: 

    143-149
تعامل: 
  • استنادات: 

    0
  • بازدید: 

    83
  • دانلود: 

    8
چکیده: 

روش های مختلفی جهت مدل سازی پنل های خورشیدی ارائه شده است؛ اما مدل سازی نیروگاه خورشیدی با استفاده از آنها با چالش هایی همراه می باشد. مدل سازی در روش های مبتنی بر مدار معادل، وابسته به داده های کارخانه سازنده است که با گذر زمان تغییر می کنند. مدل سازی مشخصه ولتاژ– جریان با استفاده از روش های هوشمند مانند شبکه عصبی به علت دقت پایین مدل سازی کمتر مورد توجه قرار گرفت. در این مقاله، روشی مستقل از داده های کارخانه سازنده جهت مدل سازی نیروگاه خورشیدی ارائه می شود؛ چنان که امکان مدل سازی دقیق نیروگاه های خورشیدی چند سال نصب شده نیز فراهم می باشد. روش پیشنهادی شامل دو مرحله است؛ در مرحله اول ولتاژ مدار باز، نقطه حداکثر توان و جریان اتصال کوتاه برحسب شرایط جوی با استفاده از شبکه عصبی مدل می شوند. در مرحله دوم پارامترهای مجهول مدار معادل توسط روابط تحلیل مداری و با استفاده از خروجی های شبکه عصبی تعیین می شوند. نهایتاً جهت ارزیابی روش پیشنهادی، مدل سازی یک نیروگاه خورشیدی 3 کیلووات انجام شد که نتایج، دقت مناسب روش پیشنهادی جهت مدل سازی نیروگاه خورشیدی را نشان می دهند

شاخص‌های تعامل:   مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید 83

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesدانلود 8 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesاستناد 0 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesمرجع 0
litScript
telegram sharing button
whatsapp sharing button
linkedin sharing button
twitter sharing button
email sharing button
email sharing button
email sharing button
sharethis sharing button